随机存取存储器。每一存储单元都可方便而快速地存取。通常，RAM是指任何快速可写的易失性存储器。 

ROM：只读存储器。一旦写入，存储内容便不能再更改。通常，ROM是指不易写入的非易失性存储器。

    标准：Read Only Memory   中文：只读存储器   只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。 ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。 ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。

DRAM：

动态RAM。这种存储器必须周期性地动态刷新，否则，存储单元将因放电而失去记忆的数据。 

EPROM：

电可编程ROM。可以使用特定的设备写入，并可用紫外线擦除重新写入。 

标准：Erasable Programmable Read-Only Memory  中文：紫外擦除只读存器  非挥发性存储器。不需要电力来维持其内容，非常适合用作硬件当中的基本输出入系统(BIOS)。允许使用者以紫外线消除其中的程序重复使用。  这种存储器不支持再线修改数据。

EEPROM：电可擦除可编程ROM。用电擦除而不是像EPROM那样用紫外线擦除，可利用微控制器写入。  标准：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory   中文：电子抹除式只读存储器   非挥发性存储器。电源撤除后，储存的信息(Data)依然存在，在特殊管脚上施加电压，同时输出相应命令，就可以擦除内部数据。典型应用于如电视机、空调中，存储用户设置的参数。  这种存储器支持再线修改数据，每次写数据之前，必须保证书写单元被擦除干净，写一个数据的大约时间在2-10ms之间。支持单字节单元擦除功能。

Flash：一种容易写入，但速度较慢的非易失性存储器。

中文 闪烁存储器   非挥发性存储器。是目前在可在线可改写的非挥发性存储器中容量最大的存储器。支持再线修改数据，写数据的速度比EEPROM提高1个数量级。Flash应用于大容量的数据和程序存储，如电子字典库、固态硬盘、PDA上的操作系统等。

PROM：可编程ROM。只可写入一次，真正的只读存储器。 

SRAM：静态RAM。静态是指一旦写入，只要有供电，数据就可一直保持。      中文：静态随机存储器   SRAM制造方法与动态随机存取内存(DRAM )不同，每个位使用6个晶体管(transistor)组成，不需要不断对晶体管周期刷新以保持数据丢失，其存取时间较短控制电路简单，但制造成本较高，单片难以做到DRAM那样容量。

SDRAM：同步DRAM。同步是指数据由时钟信号控制存取

标准：Synchronous Dynamic RAM   中文：同步动态随机存储器SDRAM的运作时脉和微处理器 (Microprocessor) 同步，所以可以比EDO 动态记忆模块 (EDO DRAM ) 的速度还快，采用3.3V电压(EDO DRAM为5V)，168个接脚，还可以配合中央处理器 (CPU ) 的外频 (External Clock) ，而有66与100MHz不同的规格，100MHz的规格就是大家所熟知的PC100内存 (Memory ) 。

RDRAM    标准：Rambus DRAM  中文：Rambus动态随机存储器  这是一种主要用于影像加速的内存 (Memory ) ，提供了1000Mbps的传送速率，作业时不会间断，比起动态随机存取内存 (DRAM ) 的200mbps更加快速，当然价格比要DRAM贵。虽然RDRA无法完全取代现有内存，不过因为总线 (BUS) 速度的需求，可以取代DRAM与静态随机存取内存 (SRAM ) 。 SDRAM的运算速度为100赫兹 (Hz ) ，制造商展示的RDRAM则可达600MHz，内存也只有8或9位 (bit ) 长，若将RDRAM并排使用，可以大幅增加频宽 (Bandwidth) ，将内存增为32或64位。

FeRAM

　　标准：Ferroelectric random access memory  中文：铁电存储器  相对于其它类型的半导体技术而言，铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好，可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。

　　非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样，被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作，而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM和Flash。 这些存储器不仅写入速度慢，而且只能有限次的擦写，写入时功耗大。

　　铁电存储器能兼容RAM的一切功能，并且和ROM技术一样，是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。

MCU

MCU(Micro  Controller  Unit)，又称单片微型计算机(Single  Chip Microcomputer)，简称单片机，是指随着大规模集成电路的出现及其发展，将计算机的CPU、RAM、ROM、定时数器和多种I/O接口集成在一片芯片上，形成芯片级的计算机。

DDR3内存采用8 bit 预取设计，较DDR2 4bit 的预取设计提升一倍，其运算频率介于 800MHz -1600MHz之间。此外，DDR3 的规格要求将电压控制在 1.5V ，较 DDR2 的 1.8V 更为省电，发热量更小。此外，DDR3采用ASR(Automatic self-refresh) 的设计，以确保在数据不遗失情况下，尽量减少更新频率来降低温度。从整体规格上看，DDR3在设计思路上与DDR2的差别并不大，提高传输速率的方法仍然是提高预取位数。但是，就像DDR2和DDR的对比一样，在相同的时钟频率下，DDR2与DDR3的数据带宽是一样的，只不过DDR3的速度提升潜力更大。

综上所述，DDR3内存具有以下优点：

1.更高的外部数据传输率

2.更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构

3.在保证性能的同时将能耗进一步降低

4.为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计：

5.8bit预取设计，DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz

6.采用点对点的拓朴架构，减轻地址/命令与控制总线的负担

7.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

• 监测服务器硬碟活动的情况。如果侦测到硬碟交换(Swapping),通常这是内存不足的结果
• 大多数的服务器具有监测中央处理器,内存以及磁碟使用的功能 在尖峰时段检测它以找出其最大的流量需求

• 当一部分的容量被使用在其他功能,例如侦错上。
• 当一部分的容量并没有被使用,举例来说,某些晶片可能有用做备份的额外容量(不常遇到)。

• 绝大多数被设计为高端服务器的计算机会支援ECC内存。
• 绝大多数低价位的家用或是小型企业用的计算机会支援无parity内存。

• 需要多少内存容量?
• 系统能承认的内存容量?
• 那种内存与系统相容?
• 可用插槽数量以及如何装置?
• 判断内存品质?
• 内存价格需知
• 其他应该考虑事项

• 系统制造厂及型号
• 计算机型号
• 内存模组型号(金士顿，代理商，制造商)
• 规格
• 无商标名称的内存

1. 假设所购买的内存无法良好运作,你愿意退换产品吗? 你有时间移除内存并等候数天到一个星期的时间以解决问题吗?
2. 当 内存品质不好时,间歇性的问题会常常发生,例如计算机无预警当机,或经常发生错误，你多常储存作业以及如果作业流失,你会有多少损失? 如果你使用计算机来玩游戏,阅读电子邮件以及漫游网际网路,这样的干扰或损失并不会造成太大的问题，但如果你在经营企业,损失几小时的作业资料可能就很严 重。
3. 使用不可靠的内存最大的风险就是资料损坏:就是一部分资料可能变更或是读取不正确；资料损坏的结果可能小至文件中的语法错 误,也可能大到表格程式中的计算错误。作业的准确性对你使用计算机所做的作业有多重要? 再次,如果你使用计算机来玩游戏,写信以及漫游网路,这可能不会造成太大的问题，但是如果你使用计算机来管理财务,你可能想要尽全力来确保数据的准确性。
4. 就像所有的产品一样,所需要的品质与耐久性取决於用途。需要大量内存空间的计算机程式通常带给内存很大的工作量。这些程式通 常在搭配使用速度与耐久性高於系统要求的内存时运作较顺畅。如果使用多媒体工作或使用大量复杂运算程式,品质较低的内存出错的机会比运作工作量低的作业多 许多,例如简单的文字处理。

1. 计算机使用手册:安装内存时,你必须打开计算机外壳并找出内存插槽；你可能需要拔掉电线以及零件然后再重新安装。使用手册最能够提供适合特定计算机的装卸指示。
2. 一个小型的螺丝起子:绝大多数计算机外壳是以螺丝装配的，而且如果内存插槽上的刻痕对你的手指来说太小,螺丝起子会是非常方便的工具。

• 72-pin SIMM
• 168-pin DIMM
• 184-pin RIMM

• 144-pin SO DIMM

1. 将计算机电源关闭并拔除AC电源线。
2. 依照使用手册的指示找出计算机的内存扩充插槽。
3. 在碰触任何电子零件或打开模组包装前，请确实先接地或碰触无表面涂料的金属物体且以去除身体上或衣服上可能带有的静电。
4. 小心拿取模组;不要挤压或弯曲模组，并永远只拿取模组的边缘。
5. 如同图片所表示,模组与扩充插槽上都有刻痕。插槽中的一个小塑胶支架必须与模组上的弯曲刻痕排成直线，这个支架确保模组只能用一种方法安装。
6. 将模组以一个微小角度插入插槽，确定模组完全安插於插槽中。如果无法将模组插入插槽,请停下并检查模组与插槽;确定模组上的刻痕与插槽中的小塑胶支架确实排成直线。不要将模组硬是插入插槽，太用力安插可能损坏模组与插槽。
7. 当你将模组正确地安插在插槽中以后,将模组向上旋转直到扩充插槽两端的固定片吻合。
8. 所有的模组都安装完成后,请关上计算机外壳，重新接上AC电源线与先前安装过程中拔除的其他所有电线。

1. 找出计算机主机板上的内存扩充插槽。如果所有的插槽都满了,较低容量的模组可能必须被移除以容纳较大容量的模组。
2. 在某些情况下,DIMM内存模组能够被安装在任何可用的扩充插槽中，在其他状况下,内存模组可能必须以模组容量顺序安装。请参考使用手册以找出适合你计算机规格的正确安装顺序。
3. 以上图所示的方式将模组安装於可用的扩充插槽。请留意模组与插槽的对应刻痕，这确保模组只能以一种方式插入插槽。将模组确实地压入插槽以使模组完全安置在插槽中。重复以上过程以安装其他的模组。
4. 大多数168-pin DIMM模组插槽配有与图片上类似的退出片。退出片只在需要移除模组时使用，藉著压下退出片的动作,模组会从插槽中弹出并能够被移除。

1. 将计算机电源关闭并拔除AC电源线。
2. 依照使用手册的指示找出计算机的内存扩充插槽。
3. 在碰触任何电子零件或打开模组包装前,请确实先碰触Grounded且无表面涂料的金属物体以去除身体或衣服上可能带有的静电。
4. 如果所有的插槽都已填满,较低容量的模组可能必须被移除以容纳较大容量的模组。
5. 上图所显示的退出片是在移除模组时使用,藉著压下退出片,模组会从插槽中弹出并能够被移除。
6. 在大多数的状况下,Rambus模组能够被安装在任何可用的扩充插槽中,但是所有的空置插槽必需以如图中的continuity模组填补。请留意有些情况下可能需要特别的Rambus模组安装顺序 (例如Rambus双频道规格) ,请参考使用手册上的详细说明。
7. 以上图所示的方式将模组安装於可用的扩充插槽。请留意模组与插槽的对应刻痕，这确保模组只能以一种方式插入插槽。将模组确实地压入插槽以使模组完全安置在插槽中，两端的退出片会自动弹到固定的位置。重复以上程序以安装其他的模组。
8. 所有模组安装完成后,关上计算机外壳。

1. 安装内存前请确实将计算机电源关闭并移除充电电池组。
2. 将模组以一个小角度插入(大约30度)。请留意模组与插槽都有刻痕以确保模组只能以一种方式安装。
3. 将模组安置在插槽中时,请确实,甚至用力地对模组两端施压,直到感到模组滑入插槽中，如果遇到困难,请轻轻地将模组上下摇晃并继续施压。在确实安装后,模组边缘的连接点会几乎完全在插槽中消失。
4. 模组确实安置在插槽中后,请将模组以图中所示的方式向下旋转，继续向下压,直到插槽两端的固定片位置固定完成。大多数的插槽会发出一声轻响显示模组已经确实固定。

1. 确定使用你的系统所适用的内存模组。
   
   内存产品的型号能够在制造商的网站中查询得知，许多内存生产商提供查询模组相容性的内存规格指南。如果无法找到需要的资讯,请参考计算机使用手册,或询问计算机制造商。
2. 确认内存规格配置正确
   
   许多计算机要求模组以相同容量的模组组成Memory Banks的方式安装，有些计算机要求最大容量的模组被安装於序号最低的Memory Bank中；有些要求所有插槽必须被填满,有些要求单内存库内存模组。这些只是特殊配置要求的几个例子，如果你的计算机是品牌计算机,请参考金士顿网站 (www.kingston.com), 或参考升级使用手册以查询计算机所要求的特殊内存配置，也可以连络内存或计算机制造商的技术支援单位。
3. 重新安装模组
   
   将模组确实插入插槽，大多数情况下在模组定位时插槽会发出轻响。请比较相邻模组间的高度以确认模组已经确实被完全安装於插槽中。
4. 调换模组
   
   移除新的模组并观察问题是否消失，移除旧模组并重新安装新模组,并观察问题是否继续发生，试著将模组安装到不同的插槽中。将模组对调的动作帮助了解是否某个模组或插槽有问题,或是两种内存不相容。
5. 清洁插槽以及内存模组上的连接点
   
   使用柔软的布料擦拭模组上的连接点，使用个人计算机用的真空吸尘器或是压缩空气以吹离插槽中的灰尘。绝对不要使用清洁溶剂，以避免腐蚀金属或阻碍连接点间的通讯。Flux Off为清洁连接点所使用的专用特殊清洁剂，在电子或是计算机用品店都可以买到。
6. 更新BIOS
   
   计算机制造商会经常更新BIOS资讯并将修正版刊登於网站上。请确定计算机中的BIOS为最新版本，尤其是在安装新软体或是大幅升级内存时。

1. 你刚买新计算机
2. 你刚安装新内存
3. 你刚安装新软体或作业系统
4. 你刚安装或移除硬体
5. 你的计算机一直运作正常，而最近并计算机无任何更动

1. 计算机拒绝开机并发出哔声
2. 计算机开机但无法辨识所有安装的内存
3. 计算机开机但萤幕空白
4. 计算机报告内存错误
   1. 内存连结错误
   2. 内存parity於xxxxx干扰
   3. 内存於xxxxx路径错误
   4. 内存於xxxxx故障,读取xxxxx,预期xxxxx
   5. 内存於xxxxx核对错误
   6. 计算机出现其他导因为内存的问题
      1. 计算机间歇性地出现错误并经常当机
      2. 注册错误
      3. 一般保护出错、页码错误及例外的错误出现。
      4. 服务器系统管理回报内存错误

1. 计算机拒绝开机并发出哔声
   
   计算机每次开机都会编排硬体清单，编排硬体清单包括BIOS识别、认可、以及在某些情况下,指定计算机中各部分硬体的位址。计算机无法开机表示中央处理器无法与其他硬体通讯，原因可能是安装不当或是BIOS无法识别硬体。
   
   请遵循基本问题检修程序,请特别注意内存模组是否已完全安装，而且计算机中有最新版本的BIOS。
2. 计算机开机但无法辨识所有安装的内存
   
   计算机开机的过程中的一部分是记算内存容量，一部分计算机会将计算过程显示在萤幕上,而其他的则不会。如果计算过程不显示在萤幕上,请从设定选项中查询计算机认定的内存容量，如果计算机计算或是列出小於安装的内存容量,表示计算机无法辨识全部的内存。
   
   有时计算机只能够辨识一部分的模组，这几乎完全是由於使用不正确的内存种类所致。举例而言,如果计算机只接受Single-banked内存模组而所安装 的是dual-banked内存模组,计算机便只能读取一半的内存模组，有时计算机只接受含有特定晶片组织的模组，例如 VX晶片组与64Mbit晶片便不能完全相容。
   
   在许多计算机中,计算机所能辨识的最大内存容量小於实际能够安装的内存容量，举例而言,计算机中可能配有三个内存插槽而每个能够容纳一个128MB模组， 如果在每个插槽中都安装128MB,总内存容量便有384MB，但是计算机可能只能辨识256MB的内存容量。大多数情况下,在购买内存模组前先参考计算 机使用手册,内存规格指南,或是金士顿网站便能够帮助避免这类问题发生。
3. 计算机开机但萤幕空白
   
   导致萤幕空白最常见的原因有配置卡松脱,内存未完全安装,或是计算机不支援内存。请确认内存已确实安装且计算机中其他的装置的连结并没有在内存安装过程中被意外切断。
   
   请确认内存型号适用於所安装的计算机。在要求具有内存侦错功能的计算机中安装non-parity内存,或在只支持EDO晶片的计算机中安装SDRAM内存都有可能导致开机时萤幕空白。
4. 计算机报告内存错误
   
   内存连结错误(Memory mismatch error):这事实上并不算是错误，有些计算机要求告知新的内存容量无误。请使用计算机的设定选单，并遵照指示输入新的容量,点选储存,并离开。
   
   计算机内存或路径错误:以下所有错误,以及类似错误都表示计算机内存有问题。
   
   l 内存parity於xxxxx干扰
   
   l 内存於xxxxx路径错误
   
   l 内存於xxxxx故障,读取xxxxx,预期xxxxx
   
   l 内存於xxxxx核对错误
   
   计算机在开机时通常会执行简单的内存测试。计算机会将资讯写入内存并读取它，如果计算机无法取得预期的资讯,它会报告错误并有时显示错误发生的位址。
   
   这类错误通常代表内存模组问题,但也有可能是主机板损坏或是新旧内存无法相容。如果要查明问题是否来自新内存,请移除新内存并观察问题是否消失，接著移除旧内存并只安装新内存，如果错误持续发生,请连络内存制造商并要求更换产品。
5. 计算机出现其他导因为内存的问题
   
   计算机间歇性地出现错误并经常当机或自发性地重新开机:由於导致这类问题的原因很多,这类问题通常很难侦查原因。可能的原因包括ESD,过热,零件腐蚀, 或是电力供应故障。如果怀疑是ESD,请联络内存制造商并要求更换产品，在安装新内存前请参考第85页防范ESD的资料。如果怀疑是零件腐蚀,请依第96 页的程序清洁内存连接点及插槽。如果怀疑是电力供应问题,请执行计算机整体检查并特别注意电力供应。
   
   登记资料错误:Windows软体将大部分的登入资料写入随机存取内存。有时内存缺陷会导致登入错误。Windows会报告错误并指示计算机重新开机及修复。如果指示重复出现,请移除新增的记体并重新开机，如果错误消失,请联络内存制造商并要求更换模组。
   
   一般保护出错、页码错误及例外的错误出现：最常见的原因来自软体，举例而言,某个应用程式可能在关闭之后继续占用内存,或是占用与另一个程式相同的位址， 在这些情况下,重新开机应该能够解决问题。如果在安装新内存后计算机突然显示一般保护出错、页码错误及例外的错误出现, 请移除新内存并观察错误是否消失，如果错误只在安装了新内存后发生,请联络内存制造商以寻求协助。
6. 服务器系统管理回报内存错误
   
   大多数服务器配备系统管理功能以监测计算机组件运作以及异常测试。有些系统管理功能计算内存中的轻微错误，这些轻微错误都已由ECC功能更正。但是,如果 轻微错误的发生率高於一定标准,系统管理会发出预先将错误之警告，这项警告使系统管理者能够更换内存以防范系统停工。
   
   如果系统管理发出pre-failure警告或是其他内存错误,请向内存制造商要求更换产品。如果系统管里在内存更换后继续发出错误警告,请确认计算机中 有最新的BIOS, 软体服务补充以及轫体(Firmware)。连续收到两个不良内存模组的机会很低，请连络内存生产商以寻求相容性问题排解，有时服务器与某些种类的内存晶 片或是设计无法完全相容。