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TEM制样与分析:微观结构、元素成分、晶圆工艺

  • 发布时间:2023-12-1
  • 详细信息

     晶圆制造工艺分析:
    1、14nm及以上制程芯片晶囿制造工艺分析
    2、MOSFET制造工艺分析
    3、存储芯片制造工艺分析

    芯片失效分析:
    1、芯片失效点位置分析,包含漏电、短路、烧毁、异物等异常失效点位的平面制样分析、截面制样分析以及平面转截面分析。
    包含形貌观察、尺寸量测、成分分析,可精准到1.0 nm以内。
    2、芯片制造工艺缺陷分析,包含形貌观察、尺寸量测、成分分析,可精准到1.0 nm以内。

    芯片逆向分析:

    1.芯片关键工艺结构剖析,包含尺寸量测、成分分析等。

     

    半导体器件失效分析 :

    1.MOSFET、VCSEL等半导体器件失效点位置分析,包含形貌观察、尺寸量测、成分分析,可精准到1.0 nm以内。

     

    芯片及半导体器件封装工艺分析:

    1.封装工艺异常分析,如TSV孔、Via孔、RDL布线层异常分析。

     

    半导体工艺分析:

    1.刻蚀工艺、镀膜工艺等半导体工艺分析

    材料分析:

    1.材料成分分析、晶型分析、晶格缺陷分析、原子级高分辨分析等

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