键合线/键合铜丝/键合丝/单晶铜/单晶银，生产厂家

单晶铜 --- 有效提高音响的高保真效果

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:56:03 CST

无锡霍尼科技有限公司，是由来自海外和国内最著名的大学和研究机构的博士和教授组成的团队，主要从事新材料的研发和生产，经历了数年的技术研发，现在已经成功推出产品，目前主要的产品为：单晶铜和单晶银的生产，产品为铜胚（棒）．单晶铜是一种全新技术生产的新材料，它主要的特点为：

1 单晶粒：相对目前的铜材（多晶粒），它只要1-3晶粒，内部无晶界，决定其传输性能非常好

2 高纯度：目前，我们的单晶铜可以做到99.999%（5N）或99.9999%(6N)的纯度

3 低电阻：与目前其他铜材比，电阻低10%以上

4 高延伸：良好的延展性，可以压箔和拉丝，可拉成相当长度的0.1-0.018的不等的细丝和微细丝

单晶银是一个类似单晶铜的新材料，由于银本身具有更好的金属特性，材料性能更优

单晶铜和单晶银的应用领域：

1 高标准音频视频传输领域：如高级音响、视频、电源等线材，喇叭，MIC等线圈

2 高标准传输设备领域：如微马达、通讯接口、连接器等通讯、航天、军工领域

3 集成电路封装领域：作为新型键合线在芯片、离散元件等电路上，替代昂贵金线

我们专注于单晶铜OCC和单晶银/镀银铜线/键合线的研发与生产加工,可为客户提供不同线径规格的单晶铜/单晶银/单晶铜镀银/镀银铜线/键合丝/镀银漆包线/单晶铜漆包线,产品广泛应用于HIFI/HI-END器材（音频线,信号线,音箱线,电源线,功放,变压器等）,HDMI线缆,LED/IC等电子封装领域。有需要单晶铜/银/镀银线/键合线等相关产品的请联系：彭先生 0755-86110379 ofc_occ@126.com

单晶铜丝

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:55:10 CST

单晶铜丝是实现引线框架全铜化、全面替代集成电路中键合金丝的关键产品,在高保真电子电器方面也有重要的应用前景,也是最为重要的高精尖铜加工产品,其生产技术是铜加工技术的重大创新和进步。目前,国民经济广泛应用的铜加工材,如铜及合金管、棒、型、线、板、带、条、箔等均为多晶材料,即材料由0.02-0.045毫米晶粒和晶粒边界所组成,晶粒边界之间形成电容,导致电信号传输失真,所以高保真电器迫切需求单晶丝;特别是集成电路封装技术的迅速发展,传统的、占统治地位的键合金丝(联结芯片与引线框架引脚使用,功能是导热和导电),已不能满足集成电路迅速发展的需求,国外发达国家开始全面采用单铜丝替代,集成电路封装产业正向全铜化迅速推进,这一革命化变革的重要意义在于:

(1)单晶铜丝在导电和信号导通效果方面比金丝更好,键合的机械强度可提高20%~30%,导电率、导热率提高20%,键合稳定可靠,克服了金丝键合硬度高、易氧化、键合力大等缺点,完全可作为半导体分立器件、半导体照明灯(LED)、集成电路、IC卡封装用键合材料。

(2)单晶铜丝替代键合金丝是微电子封装技术的革命,使用金丝作为键合丝封装技术复杂,需要在氢气氛下封装,而氢气对引线框架铜带十分敏感,一旦铜带中有氧和氧化物存在,将导致封装失效,而采用单晶铜丝之后,可以在氮气气氛下封装,生产更安全,成本大为降低,而且可满足金丝无法适应的先进封装工艺。

(3)单晶铜丝替代键金丝可节约键合成本,键合材料成本节约90%以上,目前国内键合用金丝需求正以20%以上速度递增,2010年前单晶铜丝需求量将成倍增长.

(4)单晶铜丝产品研发成功和产业化生产技术的重大突破是我国新型材料制作技术跨入世界先进行列的重要标志,是技术创新的光辉范例.　　

无锡市霍尼科技有限公司利用高纯度单晶铜（OCC）生产出18um-25um不同规格的键合丝，应用专利技术工艺解决了键合铜丝的抗氧化问题，完全可以代替键合金丝/键合铝线，节省成本。联系方式：彭先生，0755-86110379，ofc_occ@126.com

单晶铜键合丝的优势特点

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:53:53 CST

用单晶铜（OCC）生产的键合丝有以下几个特点：

1）单晶粒：相对目前的普通铜材（多晶粒），而单晶铜丝只有一个晶粒，内部无晶界。而单晶铜杆有致密的定向凝固组织，消除了横向晶界，很少有缩孔、气孔等铸造缺陷；且结晶方向拉丝方向相同，能承受更大的塑性变形能力。此外，单晶铜丝没有阻碍位错滑移的晶界，变形、冷作、硬化回复快，所以是拉制键合引线（¢0.03-0.016mm）的理想材料。

2）高纯度：目前，在我国的单晶铜丝（原材料）可以做到99.999%（5N）或99.9999%（6N）的纯度;

3）机械性能好：与同纯度的键合金丝相比具有良好的拉伸、剪切强度和延展性。单晶铜键合线因其优异的机械电气性能和加工性能，可满足封装新技术工艺，将其加工至¢0.03-0.015mm的单晶铜超键合丝代替键合金丝，从而使引线键合的间距更小、更稳定。

4）导电性、导热性好：单晶铜键合丝的导电率、导热率比金丝提高20%，因此在和金丝径相同的条件下可以承载更大的电流，键合金丝直径小于0.018mm时，其阻抗或电阻特性很难满足封装要求。

5）低成本：单晶铜键合线成本只有键合金丝的1/3-1/10，可节约键合封装材料成本90%；比重是键合金丝的1/2，1吨单晶铜丝可替代2吨金丝；当今半导体行业的一些显著变化直接影响到了IC互连技术，其中成本因素也是推动互连技术发展的主要因素。目前金丝键合长度超过5mm，引线数达到400以上，其封装成本超过0.2美元。而采用单晶铜丝键合不但能降低器件制造成本，提高竞争优势。对于1密耳焊线，成本最高可降低75%，2密耳可达90%。

无锡市霍尼科技有限公司利用高纯度的单晶铜（OCC）生产出18um-25um不同规格的键合丝，应用专利技术工艺解决了键合铜丝的抗氧化问题，完全可以代替键合金丝/键合铝线，节省成本。联系方式：彭先生，0755-86110379，ofc_occ@126.com

单晶铜及技术简介

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:51:36 CST

OCC 全名为 Ohno Continuous Casting，这是由日本工业大学的大野(Ohno)教授所发明的“高温热铸模式连续铸造法”所制造的导体技术，因为铸造过程经过特殊加热处理，所以可以获得单结晶状导体，每一结晶可以延伸数百公尺以上，在实际应用之长度上结晶粒仅有一个，并没有所谓“晶粒界面”存在，在讯号传讯时，无需透过晶粒与晶粒之间的“晶界”，讯号更易于穿透与传导，因此损耗极低，堪称是相当完美的线材。

单晶铜（简称OCC）用于音响线材的制作，是近年音响线材制造业的一项重大突破。科学实验证明：单晶铜是一种高纯度无氧铜，其整根铜杆仅由一个晶粒组成，不存在晶粒之间产生的“晶界”（“晶界”会对通过的信号产生反射和折射，造成信号失真和衰减），因而具有极高的信号传输性能。与之相比，被广泛用于音响线材制作的无氧铜（简称OFC），其内部晶粒数量众多，“晶界”造成信号失真和衰减，以至信号传输性能比单晶铜逊色。

单晶铜的断面收縮率增加了4.14倍，延伸率增加了2.39倍。单晶铜与多晶棒相比电阻率降低了31.7%，比定向凝固铸棒降低了11.68%，电阻率的降低能显著减小信号传输中的衰减，有利于提高传输信号的保真度。单晶铜密度点8.97g/cm3，O2含量点5ppm，H2含量点0.5ppm，电阻率点1.72×10-8Ω.m,达到120MHz。

单晶铜与多晶铜的金相组织对比

单晶铜因消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的綜合性能: 卓越的电学和信号传输性能，良好的塑性加工性能；优良的抗腐蚀性能；显著的抗疲劳性能；减少了偏析、气孔、缩孔、压杂等铸造缺陷；光亮的表面质量；因而主要用于国防高技术、民用电子、通讯以及网络等领域。

直径(mm)	化学成份				20℃电导率 (%)	抗拉强度(Mpa)	延伸率(%)	密度G/cm3
直径(mm)	Cu(%)	O2(ppm)	H2(ppm)	其它(%)	20℃电导率 (%)	抗拉强度(Mpa)	延伸率(%)	密度G/cm3
10-0.05	≥99.99	＜5	≤0.25	＜0.01	101~104	≤145	≥45	8.97

(end)

单晶铜与多晶铜主要技术参数对比

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:49:12 CST

单晶铜是一种全新技术生产的新材料，它主要的特点为：

1 单晶粒：相对目前的铜材（多晶粒），它只要1-3晶粒，内部无晶界，决定其传输性能非常好

2 高纯度：目前，我们的单晶铜可以做到99.999%（5N）或99.9999%(6N)的纯度

3 低电阻：与目前其他铜材比，电阻低10%以上

4 高延伸：良好的延展性，可以压箔和拉丝，可拉成相当长度的0.1-0.018的不等的细丝和微细丝

单晶铜与多晶铜主要技术参数对比如下：

金相组织：3个晶粒及以下，单个晶粒占75%以上

抗拉强度：降低10--20%

延伸率：提高50--80%

断面收缩率：提高200--300%

导电率：提高2--10%

氧含量：小于5ppm

氢含量：小于0.25ppm

密度：不小于8.920g/cm3

纯度：4N

单晶铜抗拉强度(MPa) 128.31 多晶铜抗拉强度(MPa) 151.89

单晶铜屈服强度(MPa) 83.23 多晶铜屈服强度(MPa) 121.37

单晶铜伸长率% 48.32 多晶铜伸长率% 26

单晶铜维氏硬度(HV) 65 多晶铜维氏硬度(HV) 79

单晶铜断面收缩率% 55.56 多晶铜断面收缩率% 41.22

单晶铜电阻率（X10-8 Ω.m) 1.717 多晶铜电阻率（X10-8 Ω.m) 1.767

单晶铜导电率（IACS%) 100.4 多晶铜导电率（IACS%) 97.56

单晶铜丝替代键合金丝的十大原因

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:48:25 CST

单晶铜丝替代键合金丝的原因：

1、可节约键合成本,键合材料成本节约90%以上

2、可以在氮气气氛下封装,生产更安全

3、可以减缓脆性金属化合物的形成，提高键合强度

4、单晶铜丝在导电和信号导通效果方面比金丝更好

5、导电率、导热率提高20%，因此在直径相同的条件下铜丝可以承载更大电流

6、铜引线相对金引线的高刚度使得其更适合细小引线键合；

7、键合的机械强度可提高20%~30%

8、克服了金丝键合硬度高、易氧化、键合力大等缺点

9、互连强度比金丝还要好

10、单晶铜丝替代键合金丝无需更换生产设备

单晶铜

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:47:28 CST

利用单晶连铸技术制备的单晶铜杆具有良好的机械性能、电学性能、信号传输保真性能和耐腐蚀性能，具体有以下几个方面：

◆高纯度：杂质总含量与原料电解铜相比，降低了25%以上

◆低电阻：与传统连铸的多晶无氧铜材相比降低8%以上

◆超塑延展性：冷压延变形率达到6000%以上，且铜带边缘不产生任何裂纹（普通无氧铜在冷压延变形率达到1000%时就在边缘产生裂纹），直径为∮6.2mm的单晶铜杆不加任何退火可压延成∮0.1mm的铜箔。

◆高延伸率：铜杆延伸率达到40-70%，较普通无氧铜明显提高。直径∮6-8mm的单晶铜杆不加任何中间退火可冷拉成∮0.1mm的细线，并且在拉拔过程无断丝现象。

◆组织致密：测试结果表明，单晶铜的密度接近铜的理论密度，达到8.953g/cm3。

单晶铜因消除了作为电阻产生源和信号衰减源的晶界而具有优异的综合性能: 卓越的电学和信号传输性能，良好的塑性加工性能；优良的抗腐蚀性能；显著的抗疲劳性能；减少了偏析、气孔、缩孔、夹杂等铸造缺陷；光亮的表面质量；因而主要用于国防高技术、民用电子、通讯以及网络等领域。

键合金丝，键合铜丝，铝键合丝详细对比

ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:46:31 CST

键合金丝，作为应用最广泛的键合丝来说,在引线键合中存在以下几个方面的问题：

1，Au2Al 金属学系统易产生有害的金属间化合物[ ,这些金属间化合物晶格常数不同,力学性能和热性能也不同,反应时会产生物质迁移,从而在交界层形成可见的柯肯德尔空洞( Kirkendall Void) ,使键合处产生空腔,电阻急剧增大,破坏了集成电路的欧姆联结,导电性严重破坏或产生裂缝,易在此引起器件焊点脱开而失效。

2，金丝的耐热性差,金的再结晶温度较低(150 ℃) ,导致高温强度较低。球焊时,焊球附近的金丝由于受热而形成再结晶组织,若金丝过硬会造成球颈部折曲;焊球加热时,金丝晶粒粗大化会造成球颈部断裂;

3，金丝还易造成塌丝现象和拖尾现象,严重影响了键合的质量;

4，金丝的价格昂贵,导致封装成本过高。

键合铝线，Al21 %Si 丝作为一种低成本的键合丝受到人们的广泛重视,国内外很多科研单位都在通过改变生产工艺来生产各种替代金丝的Al21 %Si 丝,但仍存在较多问题：

1，普通Al21 %Si 在球焊时加热易氧化,生成一层硬的氧化膜,此膜阻碍球的形成,而球形的稳定性是Al21 %Si 键合强度的主要特性。实验证明,金丝球焊在空气中焊点圆度高,Al21 %Si 球焊由于表面氧化的影响,空气中焊点圆度低;

2，Al21 %Si 丝的拉伸强度和耐热性不如金丝,容易发生引线下垂和塌丝;

3，同轴Al21 %Si 的性能不稳定,特别是伸长率波动大,同批次产品的性能相差大,且产品的成材率低,表面清洁度差,并较易在键合处经常产生疲劳断裂。

键合铜丝，早在10 年前,铜丝球焊工艺就作为一种降低成本的方法应用于晶片上的铝焊区金属化。但在当时行业的标准封装形式为18～40 个引线的塑料双列直插式封装(塑料DIP) ,其焊区间距为150～200μm , 焊球尺为100～125μm ,丝焊的长度很难超过3 mm。所以在大批量、高可靠的产品中,金丝球焊工艺要比铜丝球焊工艺更稳定更可靠。然而,随着微电子行业新工艺和新技术的出现及应用,当今对封装尺寸和型式都有更高、更新的要求。首先是要求键合丝更细,封装密度更高而成本更低。因此,铜键合丝又引起了人们的重视。无锡市霍尼科技采用新型工艺生产的单晶铜，利用专利工艺技术拉制成的键合铜丝完全解决了线径太小，容易氧化的问题。霍尼科技的单晶铜键合丝有如下特点：

1，良好的力学性能：较高破断力和较好伸长率的丝更利于键合。

2，优异的电学性能：封装材料的电学性能直接决定了芯片的性能指标,随着芯片频率不断提高,对封装中的导体材料的电性能提出了更高的要求。铜的电导率比金高出近40 % ,比铝高出近2 倍。

3，出色的热学性能：键合铜丝的热学性能显著优于金和铝,因此能够以更细的焊丝直径达到更好的散热性能及更高的额定功率。随着芯片密度的提高和体积的缩小,芯片制造过程中的散热是设计和工艺考虑的一个重要内容。在常用封装材料中,铜比金和铝的传热性能都要好,被广泛地用于电子元器件的生产制造中。在对散热要求越来越高的高密度芯片封装工艺中,选取铜线来代替金线和铝线是非常有意义的。并且,铜的热膨胀系数比铝低,因而其焊点的热应力也较低,大大提高了器件的可靠性。

4，性能稳定：铜键合丝金属间化合物生长速度慢铜丝与金丝焊点相比,铜线焊点中的金属间化合物( Intermetallic) 生长速度显著减小。这就降低了电阻增加量,减小了产热,提高了器件的可靠性。

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ofcocc — Mon, 15 Mar 2010 15:30:18 CST

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